Наложенный платежДоставка почтойранзисторы КТ812А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Корпус металлический со...
Наложенный платежДоставка почтойранзисторы КТ812А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах. Корпус металлический со...
Год выпуска 0591 Характеристики транзистора КТ837Е Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 ВМаксимально...